中國報告大廳網訊，氮化鎵功率器件把開關頻率推到130kHz，導通電阻壓到260mΩ，同步整流晶片將死區時間縮至350ns，一台70W/70V輸出的開關電源在115Vac輸入下效率實測90.36%，紋波低於75mW，為2025年高效、小型化電源設計提供了可複製的硬體模板。

  一、開關電源拓撲革新：QR反激+同步整流，谷底開通把損耗砍到極限

  《2025-2030年中國開關電源行業重點企業發展分析及投資前景可行性評估報告》指出，准諧振反激模式在變壓器能量釋放完畢瞬間讓初級電感與MOS結電容諧振，VDS跌至谷底再導通，開關損耗與EMI同步下降;同步整流MOS替代肖特基二極體，導通壓降從0.3V降到0.05V，整機效率在70W負載下直接提升4-5個百分點，開關電源由此邁入90%+俱樂部。

  二、開關電源器件選型：650V/260mΩ GaN晶片，750V瞬態耐壓守住安全紅線

  選用650V耐壓、260mΩ導通電阻的氮化鎵功率器件，750V瞬態裕量輕鬆應對264Vac輸入浪涌;0.27mm²晶片面積實現更高功率密度，結溫125℃仍可連續工作，為開關電源在密閉空間內長期可靠運行提供硬體保障。

  三、開關電源控制策略：RM1342S雙模PWM，130kHz固定頻率與跳頻PFM無縫切換

  重載130kHz定頻PWM，輕載自動進入跳頻PFM，待機功耗小於75mW，滿足六級能效;QR檢測電路實時追蹤去磁點，確保每次開通都落在VDS谷底，開關電源在全電壓範圍內頻率調節窗口僅±8kHz，噪聲與損耗同步收斂。

  四、開關電源變壓器設計：PQ35/35磁芯、20.4∶10.2匝比，558μH勵磁電感鎖定BCM

  滿載最低頻率130kHz，最大占空比0.53，初級臨界峰值電流0.8856A，計算得勵磁電感558μH;PQ35/35鐵氧體磁芯，原邊20.4匝、副邊10.2匝，0.27mm線徑兼顧集膚效應，開關電源在BCM模式下實現磁芯零飽和、銅損與鐵損最佳平衡。

  五、開關電源同步整流：LP35116P死區350ns，5-20Ω柵極電阻抑制振盪

  開關電源行業現狀分析指出，副邊同步整流晶片通過D腳自供電，VCC升至開啟閾值後內部MOS完全導通，溝道電流取代體二極體，導通損耗再降60%;外接電阻設定死區時間350ns，柵極串5-20Ω電阻消除高頻振盪，開關電源在264Vac輸入下仍維持88.93%效率。

  六、開關電源實測結果：115Vac效率90.36%，紋波75mW，全範圍>85%

  表1數據顯示，115Vac/50Hz輸入、70V/1A輸出時效率高達90.36%，264Vac輸入下效率仍保持88.93%，紋波電壓低於75mW;輸入電壓從120V升至220V，開關頻率自動下降，導通占比優化，全程效率高於85%，滿足能效與EMI雙重要求。

  總結

  從拓撲、器件到控制，這台基於GaN的QR反激同步整流開關電源把效率推到90.36%，死區時間壓到350ns，頻率鎖定130kHz，變壓器參數全部公開，為2025年追求高功率密度、低損耗的電源設計提供了即拿即用的「參考級」答案。