中國報告大廳網訊，在科技飛速發展的當下，圓晶作為半導體產業的核心基礎，其行業動態備受矚目。2025年，圓晶行業在政策推動與市場需求的雙重作用下，展現出諸多新趨勢與新變化。以下是2025年圓晶行業政策分析。

  《2025-2030年全球及中國圓晶行業市場現狀調研及發展前景分析報告》指出，在晶圓代工中，代工廠負責整個晶圓製造流程，包括採購原材料、生長晶圓、切割、清洗、薄膜沉積等環節，以及後續的封裝和測試等步驟，能夠讓晶片設計公司或品牌商能夠專注於產品設計、市場營銷和研發等關鍵領域，而將製造過程交給專業的代工廠來完成。這樣可以節省大量的資金和資源，減少生產成本和風險，並在市場競爭中更加靈活和敏捷。因此，經過多年發展，晶圓代工已成為全球半導體產業中不可或缺的核心環節。現從三大方面來分析2025年圓晶行業政策。

  一、2025年圓晶行業政策導向與市場規模走向

  2025年，政策層面持續為圓晶行業發展保駕護航。中國半導體行業協會在4月11日發布的《關於半導體產品 「原產地」 認定規則的緊急通知》影響深遠。該通知明確將 「集成電路」 原產地認定標準調整為 「晶圓流片地」，這一規則變更意義重大。以往晶片原產地認定受多種複雜因素影響，此新規簡化標準，直接以晶圓流片工廠所在地為準進行申報，無論晶片是否封裝。

  從市場規模數據來看，在政策與市場需求共同作用下，圓晶行業市場規模呈現增長態勢。2023年全球晶圓代工市場規模約為1400億美元，較上年增長 5.98% 。進入 2024 年，全球晶圓代工產能已達 1015 萬片 / 月(以 8 寸當量計算)，較 2023 年增長 5.4%，市場規模也隨之攀升至 1513 億美元。預2025 年，全球晶圓代工市場規模將達到1698 億美元 。中國大陸地區，2023 年晶圓代工市場規模約為 852 億元，較上年增長 10.51%。到 2024 年，規模達到 933 億元，預估 2025 年將突破 1026 億元 。這一數據增長趨勢反映出政策利好刺激下，國內圓晶代工市場蓬勃發展，國內晶片設計公司對晶圓代工服務需求日益旺盛，推動市場規模持續擴大。

  在地方政策方面，河南省出台的政策極具代表性。《河南省財政廳 河南省工業和信息化廳關於印發河南省省級製造業高質量發展專項資金管理辦法的通知》(豫財企〔2025〕1 號)明確指出，對開展多項目晶圓(MPW)或工程產品首輪流片(全掩膜)的企業，按照產品流片費用的 30% 給予補助，單個企業年度最高不超過 500 萬元 。這一政策極大降低企業前期研發成本，鼓勵企業積極投入圓晶相關新產品研發，推動地方圓晶產業技術革新，吸引更多企業紮根河南，促進當地圓晶產業鏈完善與發展，對提升國內圓晶產業整體競爭力意義非凡。

  二、2025年圓晶產能擴張態勢與區域布局特徵

  2025 年全球圓晶產能擴張呈現活躍態勢。根據 SEMI 最新的全球晶圓廠預測季度報告，今年預計啟動 18 個新晶圓廠建設項目，包括 3 座 200 毫米和 15 座 300 毫米晶圓設施，多數將於2026 - 2027年投入運營 。從區域分布來看，美洲和日本各計劃建設 4 個項目，並列領先。這其中，美洲的積極布局得益於美國《晶片與科學法案》配套補貼政策，該政策提供大量資金支持與稅收優惠，吸引眾多半導體企業投資建廠。日本則憑藉自身在半導體材料、設備領域深厚技術積累，以及積極推動本土半導體製造業發展戰略，吸引台積電等企業設廠，帶動本土晶圓廠建設熱潮 。

  中國大陸和歐洲 & 中東地區並列第三，各計劃建設 3 個項目。中國大陸在前幾年大規模興建晶圓廠基礎上，2025 年雖建設數量有所放緩，但仍穩步推進。一方面，前期大量投資建廠項目逐步進入產能釋放階段，企業更注重現有產能優化與提升;另一方面，國家戰略導向下，更追求高質量、可持續發展，對新廠建設規劃更為審慎。歐洲 & 中東地區近年來積極布局半導體產業，部分國家出台優厚產業扶持政策，吸引半導體企業入駐，期望在全球半導體產業鏈中分得一杯羹 。中國台灣計劃建設 2 個項目，韓國和東南亞各建設1個項目。中國台灣憑藉在晶圓代工領域長期積累的技術與產業優勢，穩步推進產能擴張;韓國半導體產業聚焦存儲晶片等特定領域，其晶圓廠建設根據自身產業戰略布局有序開展;東南亞地區雖起步較晚，但憑藉勞動力成本低、地理位置優越等優勢，吸引部分半導體企業投資建廠，逐步涉足圓晶製造領域 。

  從產能增長數據來看，預計2025年全球每月晶圓產能將達到3360萬片約當8英寸晶圓，同比增長6.6%。先進節點產能擴張迅猛，晶片製造商積極擴大 7nm 及以下先進位程節點產能，預計到 2025 年將增長到 220 萬片 / 月，年增長率達 16% 。這主要受高性能計算、人工智慧等領域對先進晶片強勁需求驅動，為滿足市場對算力不斷增長需求，企業加大先進位程產能投入。主流節點(8nm - 45nm)在中國大陸晶片自給自足戰略以及汽車和物聯網應用預期需求推動下，2025 年產能預計再增加 6%，達到 1500 萬片 / 月 。成熟技術節點(50nm 及以上)擴張相對保守，預計2025年產能達到 1400 萬片 / 月，同比增長 5%，其市場復甦緩慢、產能利用率低是主要限制因素 。

  三、2025年圓晶技術創新趨勢與行業影響

  2025 年圓晶技術創新呈現多維度發展態勢。在製程工藝方面，行業持續向更先進位程邁進。國際半導體技術發展路線圖顯示，預計 2025 年將實現 3nm 製程突破 。國內企業也在奮力追趕，中芯國際 7nm 工藝已進入試產階段，有望在 2025 年實現量產 。先進位程工藝可大幅提升晶片性能與集成度，降低功耗。以人工智慧晶片為例，更先進位程可使晶片在單位面積內集成更多電晶體，提升運算速度，滿足人工智慧領域對海量數據快速處理需求，推動人工智慧技術在各行業廣泛應用 。

  關鍵設備研發取得顯著進展。在光刻機領域，上海微電子裝備(集團)股份有限公司(SMEE)研製的極紫外光(EUV)光刻機已進入測試階段 。光刻機作為圓晶製造核心設備，其技術突破對提升國內圓晶製造自主可控能力至關重要。此前，高端光刻機技術長期被國外企業壟斷，嚴重製約國內半導體產業發展。一旦國產 EUV 光刻機實現量產，將打破國外技術封鎖，降低國內企業生產成本，提高生產效率，推動國內圓晶製造產業整體升級 。蝕刻機、清洗設備等其他關鍵設備研究也同步取得進展，為圓晶製造工藝優化提供有力支撐 。

  材料與封裝技術創新同樣不容忽視。在材料領域，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料研發和應用進一步推廣 。這些新型材料具有高熱導率、高擊穿電場等優異性能，可顯著提升晶片耐高溫、高壓能力，提高晶片性能與可靠性。在5G通信基站、新能源汽車等領域，寬禁帶半導體材料製成的晶片可有效降低能耗、提高設備運行效率，具有廣闊應用前景 。在封裝技術方面，三維封裝、矽通孔(TSV)等新型封裝技術不斷發展。三維封裝技術可在有限空間內實現晶片更高密度集成，提高晶片性能與數據傳輸速度;矽通孔技術則可實現晶片間垂直互聯，縮簡訊號傳輸距離，降低信號延遲，提升晶片整體性能 。

  綜上所述，2025年圓晶行業在政策利好的大環境下，市場規模穩步擴張，產能在全球範圍內積極布局且各區域特色鮮明，技術創新多點開花。這些材料與封裝技術創新為圓晶製造行業帶來新發展機遇，推動行業向更高性能、更低成本方向發展。