根據市場研究公司Web-Feet Research預測，到2012年電荷捕獲型(trapped charge)和相變(phase change)內存會超過其他快閃記憶體，在全部565億美元內存市場中占據30.7%的比例。
 
　　電荷捕獲型內存，主要是NROM，2006年占237億美元快閃記憶體市場份額的6.1%。但是隨著SONOS NAND型快閃記憶體的變種TANOS和BE-SONOS進入NAND市場，預計這部分市場將大大增加。

　　Web-Feet Research技術研究副總裁Gregory Wong表示，「當浮柵快閃記憶體技術遭遇到40納米以下的挑戰時，電荷捕獲和相變技術可以延續NAND和NOR快閃記憶體。」浮柵技術中電荷儲存在多晶矽層，而在以SONOS為基礎的電荷捕獲技術中，電荷儲存在不導電的氮化物材料層之間。

　　當前，大多數電荷捕獲型內存用於NOR快閃記憶體的代碼存儲，在2006年占全部NOR快閃記憶體市場的15.7%，預計到2012年將達到28.1%。

　　NAND快閃記憶體市場中電荷捕獲型內存預計變化更顯著，預計2012年將增加到30%的份額，而目前這個比例還不到1%。相變內存預計到2012年將占據5.5%的NOR快閃記憶體市場。