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中國存儲廠商加速追趕:三星LPDDR6研發提速應對挑戰
 內存 2025-06-07 11:00:12

  中國報告大廳網訊,2025年全球內存技術競爭進入新階段。隨著長鑫存儲成功完成LPDDR5X內存開發並計劃於2026年啟動下一代LPDDR6量產,國際頭部企業正加速布局更先進位程工藝。韓國三星電子為鞏固市場優勢,在今年下半年全面提速其基於1c DRAM工藝的LPDDR6晶片研發進程,並預計與高通等合作夥伴在移動計算領域展開深度合作。這一系列技術動態不僅重塑了內存產業格局,也折射出AI、自動駕駛等新興應用對高性能存儲解決方案的需求升級。

  一、中國廠商突破引發行業震動

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國內存行業發展趨勢分析與未來投資研究報告》指出,長鑫存儲(CXMT)近期完成LPDDR5X內存晶片的開發階段,成為繼三星之後全球第二家掌握該技術的企業。這一里程碑標誌著中國企業首次在高端移動內存領域實現關鍵技術自主化。據產業觀察顯示,其研發路線已明確指向2026年啟動LPDDR6量產計劃,較國際頭部廠商僅晚1-2個季度窗口期。分析指出,長鑫的快速追趕策略正倒逼三星提前布局技術代際更替,推動行業整體創新節奏加速。

  二、三星以工藝疊代構建競爭壁壘

  面對中國對手的技術逼近,三星電子已啟動基於"1c DRAM"製程工藝的LPDDR6晶片研發。該工藝代表DRAM製造領域的第六代技術標準,在單位面積電晶體密度與能效比上較前代實現突破性提升。據供應鏈信息,採用1c工藝的LPDDR6內存將在明年下半年進入量產階段,並計劃於2025年9月隨高通驍龍8 Elite Gen 2 SoC同步上市。該晶片將支持每秒最高8.533GB/s的數據傳輸速率,在降低功耗的同時實現帶寬提升40%。

  三、技術升級瞄準多領域應用需求

  新一代內存標準的落地正與產業變革同頻共振。三星1c DRAM工藝製造的LPDDR6晶片,其低電壓特性可使移動設備續航延長約25%,這對AI終端、智能汽車等高算力場景至關重要。據行業預測,在自動駕駛L4級系統中,新型內存將支撐每秒數TB級數據處理需求;在數據中心領域,單條內存帶寬提升預計可降低18%的伺服器能耗成本。

  四、市場格局面臨重構與洗牌

  當前全球DRAM市場正經歷結構性調整。長鑫存儲通過持續技術攻堅,已占據中國本土超過30%的伺服器內存市場份額,並計劃未來三年內將移動內存產品線擴展至旗艦機型應用領域。三星為維持其近45%的全球市占率,不僅加速工藝疊代,更與高通等關鍵客戶建立聯合研發機制。值得注意的是,隨著LPDDR6標準成為2026年高端晶片標配,未參與本輪技術競賽的企業將面臨被淘汰風險。

  結語:技術代差決定產業話語權

  從長鑫的後發趕超到三星的技術護城河構建,內存領域的競爭已進入"納米級工藝+生態綁定"的新維度。1c DRAM工藝的量產進程不僅關乎企業短期營收,更將定義未來五年AI晶片、智能汽車等萬億市場規模的核心供應鏈格局。當中國廠商首次在高端存儲賽道獲得與國際巨頭同台競技的能力時,這場技術軍備競賽的結果或將重塑全球半導體產業版圖。(數據截止時間:2025年6月)

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