中國報告大廳網訊，在光電材料領域，鈣鈦礦材料因其優異的光電特性備受關注。然而，純紅光鈣鈦礦LED的性能提升一直面臨重大挑戰。近日，一項突破性研究成果成功揭示了純紅光鈣鈦礦LED的性能瓶頸，並通過創新性的材料設計實現了器件性能的顯著提升。

  一、揭示純紅光鈣鈦礦LED性能瓶頸的關鍵技術

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國鈣鈦礦市場專題研究及市場前景預測評估報告》指出，研究團隊開發了一項創新的電激發瞬態吸收光譜技術，這項技術能夠精確探測LED內部的電子和空穴行為。通過這項"拍片子"技術，研究人員首次發現空穴泄漏到電子傳輸層是導致純紅光鈣鈦礦LED性能下降的關鍵因素。這一發現為後續的材料設計和性能優化提供了重要依據。

  二、三維鈣鈦礦異質結結構突破性能限制

  針對空穴泄漏問題，研究團隊提出了創新的三維鈣鈦礦異質結設計。通過在鈣鈦礦晶格內部插入有機分子，成功構建了阻攔空穴離開發光層的寬帶隙能壘。這種結構設計不僅有效抑制了空穴泄漏，還保持了材料的高遷移率特性，為高性能純紅光鈣鈦礦LED的開發奠定了基礎。

  三、純紅光鈣鈦礦LED性能實現重大突破

  基於三維鈣鈦礦異質結結構，研究團隊成功製備出高性能純紅光鈣鈦礦LED。該器件展現出優異的性能指標：峰值外量子效率達到24.2%，與頂級OLED水平相當；最大亮度提升至24600坎德拉/平方米，相比之前報導的純紅光三維鈣鈦礦LED提升了3倍；在亮度為22670坎德拉/平方米時，器件依然保持超過10%的外量子效率，表現出極低的效率滾降特性。

  這項研究成果不僅解決了純紅光鈣鈦礦LED亮度提高時效率驟降的關鍵問題，更為鈣鈦礦材料在光電領域的應用開闢了新的方向。通過創新性的材料設計和性能優化策略，研究團隊成功將純紅光鈣鈦礦LED的性能提升至國際領先水平，為下一代顯示技術的發展提供了重要技術支持。