與場效應管一樣，快閃記憶體也是一種電壓控制型器件。快閃記憶體的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。採用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裡的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裡，直到你再次倒入或倒出，所以快閃記憶體具有記憶能力。

　　我國3D快閃記憶體項目研究獲突破

　　近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。據長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產業峰會上介紹，32層3D NAND晶片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。該款存儲器晶片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發中心聯合開發，在微電子所三維存儲器研發中心主任、長江存儲NAND技術研發部項目資深技術總監霍宗亮的帶領下，成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。

　　3D NAND是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術的發展空間，但其結構的高度複雜性給工藝製造帶來全新的挑戰。經過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現多層堆疊結構的3D NAND陣列打下堅實基礎。

　　2016-2021年中國快閃記憶體行業市場需求與投資諮詢報告表明，存儲器的可靠性是影響產品品質的重要一環，主要評估特性包括耐久性、數據保持特性、耦合和擾動，國際上在3D NAND領域的公開研究結果十分有限。器件團隊通過大量的實驗和數據分析，尋找影響各種可靠性特性的關鍵因素，並和工藝團隊緊密協作，完成了器件各項可靠性指標的優化，最終成功實現了全部可靠性參數達標。

　　3D NAND存儲器晶片研發系列工作得到了國家集成電路產業基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

　　東芝計劃88億美元賣快閃記憶體業務

　　東芝希望能夠從出售快閃記憶體晶片業務多數股權的交易中籌集到至少1萬億日元(約合88億美元)的資金，以便公司在應對新出現的財務問題時能夠更從容一點。

　　知情人士透露，東芝希望儘快重啟出售事務，而且它可能會將這部分業務賣給多個買家而非一家競購方，現已有多家投資基金、其他晶片廠商和客戶公司均有意競購這部分業務。這項交易可能會在明年3月底之前完成。「東芝尚未決定到底出售多少比例的快閃記憶體業務股權，這主要取決於它能籌集到多少資金。東芝希望能夠保留1/3的股權，以便公司能夠對這部分業務保留一定的控制權。」上述人士表示。

　　據了解，東芝原本只打算出售NAND快閃記憶體業務19.9%的股權，東芝接到的報價在2000億-4000億日元之間，競購方包括東芝競爭對手海力士和美光科技、數據存儲公司西部數碼和貝恩資本等金融投資者。但因該公司在本月早些時候將其美國核電業務價值減計63億美元，財務壓力倍增，現在它準備將快閃記憶體業務的多數甚至全部股權賣掉。