中國報告大廳網訊，近期，全球DRAM市場出現顯著的價格上漲，這一趨勢不僅影響了通用DRAM產品，也波及到高帶寬存儲器（HBM）等高端存儲領域。這一變化主要受到國際政治經濟環境的影響，尤其是關稅政策的調整，促使IT設備製造商加速採購以確保庫存。與此同時，DRAM行業的技術升級和產能調整也在推動市場格局的深刻變革。

  一、關稅風險推動DRAM價格大幅上漲

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國DRAM市場專題研究及市場前景預測評估報告》指出，由於國際政治經濟環境的不確定性，特別是關稅政策的調整，IT設備製造商紛紛採取措施確保晶片庫存，導致DRAM和NAND快閃記憶體的價格在4月份出現顯著上漲。數據顯示，用於個人電腦的通用DRAM DDR4 8Gb產品的固定交易價格達到1.65美元，較3月份上漲22.22%。同樣，用於存儲卡和USB的128Gb MLC NAND快閃記憶體的價格也上漲11.06%，達到2.79美元。這一價格上漲的主要原因是IT設備製造商在耗盡內存庫存後，開始大規模採購半導體產品。

  二、DRAM行業加速技術升級

  DRAM行業正在經歷一場技術升級的浪潮，各大製造商紛紛縮減使用舊工藝的產量，轉向更先進的節點。例如，一些領先的製造商計劃在2025年大力擴大其1a/1b納米產能，逐步淘汰依賴1y和1z納米DRAM晶片的模塊。這一戰略轉變不僅推動了現貨市場的價格調整，也加速了行業資源的重新分配。隨著OEM廠商將新款筆記本電腦升級至DDR5，DDR4在注重性價比的產品領域依然需求強勁，這進一步推動了訂單詢價激增和市場活躍度。

  三、NAND快閃記憶體面臨價格上限壓力

  與DRAM市場類似，NAND快閃記憶體的價格也在4月份持續攀升。512GB TLC的價格達到2.76美元左右，較3月份上漲6%。然而，1Tb QLC價格在4月初曾一度飆升至5美元，但月底回落至4.95美元。這一價格波動反映了市場供需關係的微妙變化。儘管NAND製造商採取了減產措施，但供應仍然超過需求，尤其是在高容量通用快閃記憶體（UFS）領域。未來，NAND生產商可能會進一步限制產量以維護利潤率，這將對未來幾個季度的供應格局產生重要影響。

  四、市場波動與未來展望

  DRAM和NAND市場的價格波動不僅受到國際政治經濟環境的影響，也與行業技術升級和產能調整密切相關。隨著DRAM行業加速向先進節點轉型，DDR5和高帶寬存儲器（HBM）的市場需求將持續增長。與此同時，NAND快閃記憶體市場則面臨價格上限的壓力，製造商需要通過減產等措施來維護利潤率。總體來看，未來幾個季度，DRAM和NAND市場的供需關係將繼續調整，行業格局也將隨之發生深刻變革。

  DRAM市場的價格飆升和技術升級正在重塑行業格局。關稅政策的調整和IT設備製造商的庫存策略推動了價格的顯著上漲，而行業的技術升級和產能調整則加速了市場資源的重新分配。未來，隨著DDR5和HBM等高端存儲產品的需求增長，DRAM行業將迎來新的發展機遇。與此同時，NAND快閃記憶體市場則需要在供需平衡中尋找新的增長點。總體而言，DRAM和NAND市場的未來將充滿挑戰與機遇，行業參與者需要靈活應對市場變化，以抓住新的發展機會。