DRAM行業供需分析報告的主要分析要點是:
1)DRAM行業產能/產量分析。是指統計分析生產者在某一特定時期內,可生產出的商品總量以及已生產出的商品總量;同時分析這一時期內DRAM行業產能/產量結構(區域結構、企業結構等)。
2)DRAM行業進出口分析。是指統計分析同上時期內DRAM行業進出口量、進出口結構、以及進出口價格走勢分析。
3)DRAM行業庫存及自用量等分析。
4)DRAM行業供給分析。市場供給量不等於生產量,因為生產量中有一部分用於生產者自己消費,作為貯備或出口,而供給量中的一部分可以是進口商品或動用貯備商品。
5)DRAM行業需求分析。是指統計分析上述時期內下游市場對DRAM行業商品的需求總量分析;同時分析這一時期內下遊行業需求規模、需求結構以及需求總量的區域結構等。
6)DRAM行業供給影響因素分析。包括價格因素、替代品因素、生產技術、政府政策以及下遊行業發展等。
7)DRAM行業需求影響因素分析。包括可支配收入改變、個人喜好的改變、借貸及其成本、替代品和互補品的價格轉變、人口數量和結構、對將來的預期、教育程度的改變等。
DRAM行業供需分析報告是基於經濟學中有關供需關係理論為基礎的分析成果。DRAM行業市場供給是指生產者在某一特定時期內,在每一價格水平上願意並且能夠提供的一定數量的商品或勞務;DRAM行業市場需求指的是下游有能力購買,並願意購買某個具體商品的欲望,顯示的是其它因素不變的情況下,隨著價格升降,某個體在每段時間內所願意買的某商品的數量。
TechInsights平台上發布報告稱,2025年第一季度,市場上將首次推出D1c的一小部分產品,首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據主導地位,包括HBM4 DRAM應用。從市場角度看,HBM產品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前價格高昂,而傳統產品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。未來AI和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb晶片,但目前市場上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM晶片中,應開發3D DRAM架構,如4F2垂直溝道電晶體 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元,並在10納米以下級別節點(個位數節點)實現產品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商,作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產品。到2027年底,我們預計DRAM將邁入個位數納米技術節點,如D0a,隨後將是0b和0c世代。