「我準備把新一代存儲技術帶到中國！」美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示，相變存儲器將是未來存儲的方向。

    出生於甘肅蘭州的馬佐平現任美國耶魯大學教授、電機系主任。憑藉在研發「互補性氧化金屬半導體」閘介極科技方面的卓越貢獻，馬佐平成為美國半導體微電子科技領域的權威。目前,馬佐平正領導著新一代存儲設備的研發。    

    馬佐平說，長期以來，廣東的微電子產業主要以低端的裝配為主，晶片等的研發速度相對較慢。除中芯國際在深圳的加工工廠外，研發力量十分薄弱。他說，世界存儲器領域正面臨著新一輪的變革，快閃記憶體和動態記憶存儲在未來3到5年內將達到極限,無法再繼續縮小尺寸、增加密度。

    「相變存儲器是未來發展方向，將逐步取代快閃記憶體、磁碟等。」他介紹說，三星、IBM等三家世界級的公司正瞄準這一領域發力,而馬佐平正是IBM的合作者。「我們明年可能在中國大陸實現量產，不過是代工。預計到2014年以後考慮設廠,正在跟蘇州、天津和廣州等地談。」馬佐平透露。