中國報告大廳網訊，行業動態綜述

  隨著全球半導體供應鏈重構加速，中國光刻機產業在技術攻堅與市場需求雙輪驅動下迎來關鍵轉折。2025年9月，上海微電子（SMEE）首次公開極紫外（EUV）光刻機參數圖，芯上微裝攜多款創新產品斬獲行業大獎，標誌著國產光刻機從實驗室研發向產業化應用的實質性跨越。資本市場同步響應，張江高科憑藉對上海微電子的戰略投資，股價再創歷史新高，折射出市場對國產替代進程的高度期待。

  一、國產光刻機技術突破：90nm量產與28nm研發雙線推進，推動工藝節點跨越

  截至2025年第三季度，國內光刻機製造已實現多維度突破。上海微電子自主研發的600系列光刻機完成90nm製程量產，並同步推進28nm浸沒式光刻機的研發測試。根據產業鏈反饋，宇量昇與中芯國際的合作驗證已進入關鍵階段，國產光刻機在先進封裝領域的應用逐步成熟。行業數據顯示，中國企業在干法DUV光刻設備領域取得實質性進展，預計年內將有首批量產機型交付客戶端。

  二、市場需求激增與全球封鎖背景下的產業機遇：國產替代率提升至12%，仍存90%進口依賴

  2025年全球光刻機市場規模預計突破400億美元，但中國高端設備市場88%的份額仍由荷蘭ASML、日本尼康等企業占據。美國自2018年起實施的出口管制政策持續加碼，疊加2023年日荷對華技術封鎖協議生效後，中國光刻機供應鏈面臨嚴峻挑戰。在此背景下，本土企業的突破性進展顯著提升國產化率至12%（較2024年增長5個百分點），尤其在i線前道光刻機和中低端DUV設備領域實現批量替代。

  三、產業鏈協同效應顯現：上游材料與核心部件國產化進程加速

  半導體光刻工藝的突破直接帶動光學元件、精密機械等配套產業升級。數據顯示，江豐電子研發的多層鈦合金擴散焊接技術已應用於28nm以下節點光刻機冷卻部件，並進入量產階段；芯碁微裝的WLP 2000晶圓級直寫設備憑藉2μm線寬精度獲得頭部客戶重複訂單。此外，富創精密、藍特光學等企業在光刻機反射鏡、場鏡等光學元器件領域實現技術突破，國產化率提升至35%，較2024年增長18個百分點。

  四、資本市場與政策紅利驅動：機構加碼布局，40餘家上市公司進入賽道

  截至2025年9月，A股市場光刻機概念股已擴容至40餘只。核心標的中，芯碁微裝、江豐電子等10餘家公司獲得超過10家投資機構評級推薦；同飛股份、大族激光等企業因在溫控系統、激光光源領域的優勢，獲5家以上機構關注。從成長性看，富創精密預計2026-2027年淨利潤複合增速超40%，炬光科技的高功率激光源業務則受益於EUV光刻機驗證需求激增。

  五、風險與挑戰：技術瓶頸與國際競爭持續博弈

  儘管國產化進程加速，但高端光刻機仍面臨關鍵制約。EUV光刻所需的13.5nm波長光源、精密光學鏡頭等核心部件研發進度滯後，國內企業尚處原理樣機階段。此外，全球市場對華技術封鎖壓力不減：2025年ASML明確表示其最新NXE:4600 EUV設備仍受限於出口管制條例，短期內難以向中國開放供應。

  2025年的光刻機產業呈現「突破性進展」與「結構性矛盾」並存的特徵。國產企業在中低端市場已形成替代能力，並在先進封裝、特色工藝領域搶占先機；但高端設備的技術差距仍需5-8年追趕周期。隨著國家政策支持持續加碼（如2025年中央財政對半導體設備研發補貼提升至20%），疊加本土供應鏈協同效應釋放，預計到2030年國產光刻機市場占有率有望突破40%，推動中國從「全球晶片製造中心」向「高端裝備供給中樞」的戰略轉型。