1、行業的技術水平

　　(1)工藝節點及封裝水平

　　工藝節點與晶片成本密切相關。在NOR Flash 領域,目前55nm~58nm 工藝節點的產品已開始大規模商用,45nm 產品也已開始研發。在NAND Flash 領域,目前20/19nm 以上工藝節點是主流的商用製程,未來主流產品將向1Y nm 發展。

　　工藝節點由20/19nm 轉向1Y nm,能使單顆晶片的面積減少約三分之一,從而導致晶片價格大幅降低。在晶片封裝工藝上,3D 封裝和系統級封裝(SiP)在特定領域已開始迅速發展。

　　(2)性能水平

　　快閃記憶體卡行業市場調查分析報告顯示，快閃記憶體晶片性能可在一定程度上反映設計水平。數據傳輸速度方面,當前串行NOR Flash 晶片的數據傳輸速率約為560M bps、並行NOR Flash 晶片的數據傳輸速率約為800M bps,NAND Flash 產品的數據傳輸速率約為1.6G bps。可靠性及壽命方面,當前NOR Flash 產品的可擦寫次數約為10 萬次,數據存儲時間約為10 年;MLC 型NAND Flash 產品的可擦寫次數約為5000 次,SLC 型約為50,000次,數據存儲時間約為10 年。功耗方面,15μA 為當前NOR Flash 產品的普遍水平,15-20μA 為當前NAND Flash 產品的普遍水平。

　　2、行業的技術特點

　　該行業技術特點決定了產品應用範圍,具體如下:

　　(1)NOR Flash 晶片技術特點為可隨機存儲,確保了較快的隨機讀取速度;可執行代碼,確保可直接和處理器連接。因此,NOR Flash 晶片廣泛應用於需要頻繁執行各類程序的嵌入式領域,如代碼存儲。未來NOR Flash 晶片主要在降低成本和功耗、提升擦寫編程速度、提升可靠性等方面進行技術升級。

　　(2)NAND Flash 晶片技術特點為非隨機存儲、不可執行代碼,但以塊為單位進行存儲操作,具備較高的存儲速度,適合大容量的數據存儲。因此,NANDFlash 晶片主要應用於批量數據存儲的領域,如大容量數據存儲。由於NANDFlash 工藝節點越小,越容易出現壞塊,需要軟體和固件來管理壞塊,技術複雜度較高。未來NAND Flash 晶片主要在降低成本、提高存儲容量、提高存取速度、提升可靠性等方面進行技術升級。