中國報告大廳網訊,關鍵數據提示:全球光伏裝機容量預計在2025年達到830GW,而高純度大尺寸矽晶圓需求同步增長47%。在此背景下,我國一項創新技術的落地正推動光伏產業鏈核心環節實現自主化突破。
隨著全球"雙碳"戰略加速推進,光伏產業對高效能、低成本半導體材料的需求持續攀升。當前12英寸以上單晶矽片生產長期依賴進口設備和技術,成為制約國內光伏組件升級的關鍵瓶頸。在此背景下,我國科研團隊通過跨界融合超導技術與半導體製造工藝,在矽晶體生長領域取得重大突破。
在寧夏銀川舉辦的科技成果鑑定會上,國產"高溫超導磁控矽單晶生長裝備"成功通過專家評審。該設備採用創新磁場控制技術,將矽片含氧量穩定控制在5ppma以下(國際領先水平),較傳統工藝提升4%的矽棒頭尾利用率,並實現生產效率12%的顯著增長。目前可批量產出直徑達340mm的高品質矽晶體,為製造更大尺寸光伏級單晶矽片奠定基礎。
這項技術通過模塊化高溫超導磁體設計,解決了大尺寸晶體生長中溫度均勻性與能耗平衡難題。其多場耦合控制算法有效抑制了熱應力和雜質擴散問題,在保障晶體純度的同時降低20%以上的單位能耗,契合光伏產業綠色製造需求。
研發團隊依託超導磁體核心技術構建完整產業鏈布局。在銀川經濟技術開發區建設的生產基地,將形成年產千台級高溫超導設備產能,並同步實現大尺寸矽晶體規模化生產。預計項目全面投產後,可滿足國內812英寸光伏及集成電路用單晶矽片60%以上的市場需求。
該技術路徑通過磁場控制優化生長界面穩定性,使單爐拉晶長度提升35%,大幅降低單位產品製造成本。相較於傳統直拉法,其綜合能耗下降顯著,契合光伏行業降本增效趨勢。專家指出,這項突破不僅打破國外對高端矽材料裝備的壟斷,更將重塑全球光伏供應鏈格局。
從產業生態角度看,該技術的產業化應用形成多維價值鏈條。上游超導磁體製造與下游半導體/光伏組件生產深度協同,推動產業鏈關鍵環節自主可控程度提升至85%以上。預計到2030年,相關技術可為我國光伏行業每年減少碳排放約140萬噸。
在應用場景拓展方面,該裝備除用於光伏級單晶矽片製造外,還可延伸至第三代半導體材料生長領域。其模塊化設計特性支持快速適配新型異質結(HJT)電池等前沿技術路線需求,為光伏系統效率提升提供硬體保障。
總結:超導技術驅動的產業變革正在重塑全球光伏競爭格局。通過攻克矽晶體生長核心工藝瓶頸,我國不僅實現高端半導體材料自主供給,更以技術創新降低綠色能源成本,加速"雙碳"目標落地進程。隨著寧夏生產基地全面投產,預計到2027年將形成覆蓋裝備研發、材料生產及終端應用的千億級產業集群,為光伏產業高質量發展注入持久動能。