中國報告大廳網訊,隨著人工智慧技術的快速發展,高帶寬內存(HBM)的需求呈現爆發式增長,成為存儲行業的新焦點。全球主要存儲晶片製造商紛紛調整戰略,加大投資力度,以應對市場變化。在這一背景下,行業格局正在發生顯著變化,傳統巨頭面臨挑戰,新興力量迅速崛起。
中國報告大廳發布的《2025-2030年全球及中國存儲行業市場現狀調研及發展前景分析報告》指出,為滿足激增的HBM需求,SK海力士決定將今年的計劃資本支出提高30%,從最初的22萬億韓元增至29萬億韓元。這一決策已最終確定,並迅速付諸實施。該公司要求供應商提前兩個月,即在10月份之前,將設備交付至忠州的M15X工廠。M15X工廠將主要生產最新的DRAM產品,特別是用於HBM3E的核心晶片1b DRAM。
SK海力士的這一舉措直接響應了主要客戶的需求。作為全球領先的GPU製造商,其客戶要求提前交付HBM晶片,以支持其AI加速器的生產。此外,SK海力士還計劃從今年開始向另一家重要客戶供應HBM。為確保盈利能力,該公司正在將部分傳統節點產品的產能轉換為HBM工藝,並將圖像傳感器業務的員工調至AI內存業務。
今年第一季度,SK海力士以36%的市場份額首次超越三星,成為全球DRAM市場的最大供應商。這一歷史性突破主要得益於其在HBM市場的主導地位。相比之下,三星的市場份額為34%,未能跟上人工智慧時代的步伐,被認為是其失去頭把交椅的重要因素。
SK海力士的HBM產能已經全部售罄,並已向客戶提供HBM4 12H的樣品。這一強勁表現進一步鞏固了其在存儲行業的領先地位。過去,三星憑藉「超差距技術」和規模化生產能力在內存領域占據主導地位,但進入2024年後,其在HBM領域的技術競爭力不足,導致市場份額下滑。
作為全球內存晶片市場的第三大參與者,美光科技正在全力挑戰SK海力士和三星,爭奪HBM市場的主導地位。該公司已通過主要客戶的第五代HBM3E產品的質量驗證流程,並開始量產這些晶片,用於下一代AI加速器。
美光科技的目標是今年將其HBM市場份額提升至20%左右。為此,該公司正在提升產能,將新收購的兩家工廠改造成可生產HBM的DRAM工廠,並計劃在新加坡建造一座新的HBM晶圓廠。此外,美光科技還在愛達荷州、紐約州和日本廣島進行擴建,以加速HBM的生產。
存儲行業的變化已初現端倪。SK海力士憑藉HBM的強勁銷售首次超越三星,成為全球DRAM市場的最大供應商。美光科技與三星之間的差距大幅縮小,從去年第四季度的16.9個百分點縮小到今年第一季度的9個百分點。這一變化主要歸因於美光向主要客戶不斷增長的8層HBM3E產品出貨量。
隨著SK海力士加速建設新的HBM工廠,並加強員工隊伍,行業觀察人士正在關注三星在今年下半年可能出現的反彈。三星正與主要客戶合作對其HBM3E進行最後的質量測試,一旦獲得認證,就可能開始增加出貨量。
高帶寬內存(HBM)需求的激增正在深刻改變存儲行業的格局。SK海力士通過大幅增加資本支出和加速產能擴張,首次超越三星,成為全球DRAM市場的最大供應商。美光科技則通過積極布局HBM,挑戰韓國巨頭的市場地位。未來,隨著各主要廠商的持續投入和技術突破,存儲行業的競爭將更加激烈,市場格局也可能進一步重塑。