中國報告大廳網訊，2025 年末國產光刻機億元級訂單的落地，成為國內半導體設備領域國產化進程的關鍵節點，這一突破不僅標誌著國產光刻機實現了從技術驗證到市場應用的核心跨越，更在半導體設備國產化率達 35% 的行業背景下，為光刻機產業鏈的國產替代按下加速鍵。當前國產光刻機已在成熟製程領域實現技術與量產的雙重覆蓋，同時也面臨著高端製程技術代差、核心子系統短板等行業挑戰，光刻機行業的投資邏輯正圍繞著國產替代的推進節奏、技術突破的落地速度以及產業鏈協同發展的成效逐步清晰。

  一、光刻機億元訂單落地，鑄就國產技術發展里程碑

  2025 年 12 月 25 日，中國政府採購網公布的單一來源採購成交公告，讓國產光刻機領域迎來標誌性突破，上海微電子裝備(集團)股份有限公司以 10999.985 萬元的價格，中標科學技術部下屬實驗室的步進掃描式光刻機採購項目，該項目總預算為 1.13 億元，成交設備為型號 SSC800/10 的 SMEE 品牌步進掃描式光刻機，單價達 109999850 元。

  這一億元級訂單並非普通的商業交易，而是國產高端光刻裝備首次以該規模訂單的形式進入國家級科研體系的核心工藝鏈，成為國產光刻機發展歷程中具有里程碑意義的信號，真正實現了國產光刻機從技術驗證到市場應用 「從 0 到 1」 的關鍵跨越。此次採購採用單一來源採購方式，依據相關政府採購法規，該方式僅適用於貨物或服務採用不可替代的專利、專有技術，或公共服務項目有特殊要求的情況，這一選擇充分印證了相關企業在該型號光刻機上具備國內唯一且不可替代的技術能力，也是國家重視半導體供應鏈安全與技術自主性的直接體現，而採購主體使用的保密代碼，更凸顯出該光刻機採購項目的戰略性與重要性。

  二、光刻機核心性能達標，實現從 「可用」 到 「被選用」 的升級

  此次中標的 SSC800/10 型步進掃描式光刻機，其 「SSC」 為相關企業首次公開的型號代號，這款光刻機具備解析度≤110 納米和套刻精度≤15 納米的核心性能指標，這一技術水平讓該光刻機能夠支持 0.18 微米及以下的先進工藝節點，適用於微米乃至亞微米級結構的高均勻性、高穩定性加工，尤其能夠滿足高密度神經電極陣列製造等前沿科研領域，對極細線寬和高對準精度的苛刻要求，讓國產光刻機在實際應用層面具備了核心競爭力。

  在此之前，國內相關企業已實現 90nm ArF 光刻機的量產，其 SSX600 系列步進掃描投影光刻機可滿足 90nm、110nm、280nm 等關鍵層的光刻工藝需求，此次 SSC800/10 型光刻機的成功中標，進一步證明國產光刻機已擺脫單純的技術 「可用」 階段，進入到被國家級科研機構 「選用」 的新階段，在成熟製程的科研與應用領域，國產光刻機的技術能力已得到權威認可，為後續向產業端落地奠定了堅實的技術基礎。

  三、光刻機全球技術對標，明確國產設備行業定位

  評判國產光刻機的突破價值，需要將其置於全球光刻機技術譜系中進行客觀對標，全球光刻機技術隨光源類型疊代形成多代發展體系，第一代採用 g-line 光源，波長 436nm，最小解析度 > 500nm;第二代採用 i-line 光源，波長 365nm;第三代採用 KrF 光源，波長 248nm，最小解析度 180~130nm;第四代採用 ArF 浸沒式光源，波長 193nm(浸沒)，最小解析度 < 40nm;第五代採用 EUV 光源，波長 13.5nm，最小解析度 < 7nm，不同代際的光刻機分別由不同企業主導，其中 KrF 光源光刻機國內企業已實現布局，ArF 浸沒式與 EUV 光源光刻機則由海外企業占據主導地位。

  從核心性能來看，此次中標光刻機的解析度≤110nm、套刻精度≤15nm，支持 0.18μm 及以下工藝節點，說明國產光刻機在成熟製程(如 90nm 及以上)領域，已經實現了從技術到量產的能力覆蓋，達到了滿足部分先進科研與產業需求的技術水平。但同時也需清晰認識到，全球光刻機高端市場長期由海外企業主導，海外主流深紫外(DUV)光刻設備通過多重曝光技術已能支持 7nm 以下的先進位程，套刻精度優於 1.5nm，國產光刻機在先進位程支持方面仍存在明顯代差。此外，國產光刻機在量產穩定性、交付能力，以及高端投影物鏡、極紫外(EUV)光源等核心子系統方面，仍存在短板或面臨外部供應鏈風險。

  綜合來看，當前國產光刻機的行業定位十分清晰：在成熟製程及特定細分應用領域，已實現國產替代的 「可用」 和 「可替」，打破了該領域國產前道光刻機商業訂單 「零的紀錄」;但在面向 7nm、5nm 乃至更先進節點的高端光刻機市場 「主戰場」 上，國產光刻機仍處於奮力 「跟跑」 的階段。這一定位決定了現階段國產光刻機的市場角色，更多是為國內半導體產業構建供應鏈 「備份」 能力，降低對單一外部光刻機供應商的依賴，並在實際應用中為最終衝擊高端光刻機領域積累寶貴的工程化經驗。

  四、光刻機產業鏈協同發展，掀起國產替代新浪潮

  光刻機是半導體製造領域的核心設備，其產業鏈上游涵蓋材料、設備及各類核心組件，包括光刻膠、電子特氣、CMP 拋光液、掩模版，以及塗膠顯影設備、激光器、雙工件台、光學系統等，一台高端 EUV 光刻機更是包含超過 10 萬個精密零件，是多領域高端製造技術的集大成者。此次國產光刻機整機的億元級訂單落地與實際應用，將為上游光學部件(如投影物鏡、照明系統)、精密機械(如工件台、掩模台)、控制軟體，以及與之匹配的光刻膠等多個環節，提供真實工藝環境下的應用反饋和技術疊代需求，推動光刻機上游產業鏈各環節與整機的適配性升級。

  在光刻機核心的光學系統領域，國內企業已在 28nm DUV 物鏡等方面實現了一定程度的國產替代，光刻機整機的技術進步與市場應用，將進一步倒逼這些細分領域加快技術升級和產品可靠性提升。當前中國半導體設備行業正處於國產替代的關鍵階段，2025 年上半年國內半導體設備國產化率較 2024 年同期提升 12 個百分點，整體國產化率已達 35%，光刻機作為半導體設備的核心品類，其國產化進程的推進將成為帶動整個半導體設備產業鏈國產替代的重要抓手。

  在光刻機關鍵配套材料光刻膠領域，行業發展同樣呈現快速增長態勢，2024 年我國光刻膠市場規模約為 80.5 億元，同比增長 25.39%， 2025 年市場規模達約 97.8 億元，其中 ArF/KrF 等與光刻機配套的高端光刻膠國產化率已突破 30%，光刻膠領域的國產替代與光刻機整機的發展形成了良好的協同效應。儘管此次光刻機的採購主體為科研機構，但國產光刻機在國家級項目中的成功應用，將顯著增強國內晶圓製造廠對國產光刻機及配套設備、材料技術能力的信心，有助於推動形成 「使用 - 反饋 - 疊代」 的良性產業循環，為國產光刻機未來導入國內主流晶圓廠的成熟製程產線掃除部分心理障礙。同時，在 AI 驅動存儲技術向 3D 化演進、國內主流存儲晶片企業加速擴產的行業背景下，龐大的半導體設備市場需求，為光刻機及上下游產業鏈的國產替代提供了廣闊的市場空間。

  總結

  中國報告大廳《2026-2031年中國光刻機行業運營態勢與投資前景調查研究報告》指出，2025 年末國產光刻機億元級訂單的落地，是國內光刻機領域實現從技術驗證到市場應用的關鍵跨越，標誌著國產光刻機在成熟製程領域已完成從 「可用」 到 「被選用」 的升級，也在半導體設備國產化率 35% 的背景下，撬動了光刻機全產業鏈的國產替代浪潮。當前國產光刻機已在 90nm 及以上成熟製程領域實現技術與量產的雙重覆蓋，成為國內半導體產業供應鏈安全的重要 「備份」，並為上游核心組件、配套材料的技術疊代提供了實際應用場景，光刻膠等配套領域的快速發展也與光刻機整機形成了協同發展的良好態勢。

  但同時也需正視，國產光刻機與全球高端水平仍存在明顯代差，在先進位程支持、核心子系統自主化、量產穩定性等方面仍有諸多短板需要補齊。未來光刻機行業的發展，核心在於實現從 「實驗室」 到 「生產線」 的落地，未來五年需重點關注晶圓廠國產光刻機採購占比、國產光刻機企業持續訂單獲取能力、相關專項研發資金支持力度、光刻機領域核心專利增長曲線四大核心指標。只有推動國產光刻機真正進入產業端的成熟製程產線，實現規模化商業應用，才能進一步帶動上下游產業鏈的協同升級，逐步縮小與全球高端光刻機技術的差距，最終為中國半導體產業構築起自主可控的核心基石，而這也將成為 2026 年及未來一段時間，光刻機行業投資與發展的核心邏輯與方向。