在《國家集成電路產業產業發展推進綱要》、《中國製造2025》等一系列政策計劃的落實和集成電路產業投資基金的大力投入之下，已為存儲器產業在市場、政策及資金等方面奠定良好的基礎，故2015至2016年中國半導體行業將以存儲器為發展重點，最主要是存儲器與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域。現對2016年我國半導體存儲器產業布局分析。

　　特別是存儲器的發展不僅是因為其處於集成電路產業的核心地位，更是基於信息安全的考慮，主要是因為唯有在存儲器、CPU等核心晶片領域實現自主可控能力(包括核心技術、關鍵零部件、各類軟體全部國產化，自己開發和製造)，才能確保國防與信息安全，更何況存儲器將在新一代信息技術如物聯網、大數據、雲端運算等中扮演重要的角色。

　　事實上，有鑑於中國智能型手機、平板計算機、智能可穿戴設備、伺服器等消費電子產品在全球的地位穩步提升，對DRAM、NAND Flash等存儲器的市場需求也隨之提升，預計2016年中國大陸存儲器所需的市場規模將達到近2800億人民幣，但目前大陸自給率幾乎為零，反映未來進口替代空間大，此成為中國切入存儲器市場最大的優勢。

　　中國發展存儲器產業尚有國家戰略、各項配套做為支撐，其中除官方將主導產業垂直整合，也就是企業間將通過共同研發、平台共享、供銷協議等方式加強聯繫、共同分擔風險之外，更是積極挖角國際級的存儲器管理人才。

　　半導體存儲器行業市場調查分析報告顯示，至於廠商的發展動態方面，除武漢新芯宣布進軍NAND領域，計劃推出3D-NAND產品拉近與國際大廠的距離之外，聯電也將與晉江市政府合作，打造中國的DRAM產業，並以利基型存儲器作為切入點，而未來聯電初期將以台灣作為研發基地，南科則成聯電與晉江合作案的研發重鎮，顯示聯電布局中國市場相當積極，而晉江政府在中國政府的政策與資金支持，並藉助聯電與南科的技術優勢、人才經驗，打造另類兩岸合作DRAM事業模式。

　　藉由上述可知，大陸在不久的將來將開始加入技術專利壟斷、市場寡頭成型、產業投資巨大、周期性波動劇烈的全球存儲器競爭行業中，來實現存儲技術及產品的自主可控能力，也使全球存儲器市場供需與競爭態勢增添不確定因素。

　　值得注意的是，由於全球NAND Flash當前仍是由國際大廠所掌握，也布下綿密的專利網，因此在武漢新芯、同方國芯、萬億基科技(合肥Elpida)尚未取得上述主要國際大廠的技術授權合作，僅有武漢新芯在2015年初與Spansion合作，展開3D NAND Flash技術開發，目前已完成8層NAND Flash晶片之下，未來中國能否順利從3D NAND Flash切入來架構整體存儲器產業，仍有待考驗。