中國報告大廳網訊，（開篇綜述）在全球半導體產業加速轉型的背景下，日本正以AI存儲晶片為突破口，整合資金、技術與科研力量組建戰略聯盟。這一舉措不僅劍指韓國在HBM領域的優勢地位，更試圖通過差異化路徑重構市場規則。本文將解析其戰略布局對全球晶片格局的影響，並揭示韓國面臨的競爭壓力。

  一、日美台協同發力：打造AI存儲晶片新生態

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國晶片行業市場供需及重點企業投資評估研究分析報告》指出，日本正通過Saimemory公司聯合英特爾和東京大學，構建以低功耗堆疊式DRAM為核心的下一代存儲晶片研發體系。該項目整合了軟銀30億日元投資、英特爾的封裝技術及東京大學的數據傳輸專利，並計劃尋求政府支持與台積電等代工廠合作。目標直指當前由韓國企業主導90%份額的高帶寬內存（HBM）市場，但選擇避開直接競爭，轉而開發功耗更低的替代方案。

  二、技術路徑差異化：從追趕者到規則制定者的轉型

  不同於傳統DRAM製造路線，Saimemory採取無晶圓廠模式，專注晶片設計與IP管理。其研發重點在於突破現有HBM架構限制，通過堆疊式DRAM結構實現能效提升。日本政府已承諾向半導體公司Rapidus注資1.82萬億日元，並推進法律改革支持技術引進。若進展順利，軟銀將優先獲得晶片供應權，形成從設計到製造的完整生態閉環。

  三、產業復興挑戰：資本密集下的戰略突圍

  儘管日本DRAM產業在2012年爾必達破產後幾近消失，但通過Rapidus與台積電技術合作，正快速填補產能空白。當前韓國雖占據全球73%的DRAM市場份額，但在AI晶片等新興領域仍面臨供應鏈風險。數據顯示，SK海力士雖以36%份額首次超越三星成為全球最大DRAM供應商，並掌控超70%HBM市場，但其優勢正被日本的新技術路徑衝擊。

  四、韓系廠商壓力：從存儲霸主到潛在孤立困境

  韓國半導體產業高度依賴內存晶片出口（占2022年總出口額18.9%），而日本的策略可能改變這一格局。行業觀察人士指出，隨著Rapidus代工能力提升及台積電技術導入，日系廠商或形成從設計到生產的完整鏈條。SK海力士雖在HBM領域領先（如獨家供應英偉達12層HBM3E晶片），但需警惕日本通過差異化技術重塑市場規則帶來的結構性挑戰。

  總結：這場始於2025年的半導體產業變革中，日本正以精準的市場定位和技術積累發起強勢反攻。其"設計+代工"模式既規避了資本密集型製造的風險，又直擊AI晶片核心需求。韓國雖仍握有技術優勢，但需警惕產業鏈重構帶來的戰略孤立風險。未來三年將是關鍵窗口期，全球存儲晶片市場的競爭版圖或將因此次博弈迎來根本性改變。（數據時間點：截至2025年6月）