中國報告大廳網訊，全球AI算力需求激增推動晶片技術創新加速。隨著摩爾定律發展放緩，先進位程晶片的性能提升愈發依賴封裝技術的革新。當前數據中心級晶片已面臨單顆矽片800平方毫米的物理限制，迫使行業轉向多晶片集成方案。本文聚焦英特爾在2025年發布的三項突破性封裝技術，揭示其如何通過創新實現超大規模晶片系統的構建與散熱管理。

  一、突破矽片集成極限：晶片封裝技術的關鍵創新方向

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國晶片行業市場供需及重點企業投資評估研究分析報告》指出，為應對AI算力需求增長，英特爾研發的增強型嵌入式多晶片互連橋接（EMIB-T）技術實現了關鍵升級。該技術在原有水平互聯基礎上新增垂直銅通孔（TSV），可直接連接封裝基板電源與上方晶片，較傳統方案減少15%功率損耗。其創新性銅網格結構有效抑制高頻運算產生的電源噪聲，使單個封裝可容納38個橋接器，支持集成超過12顆全尺寸矽片（總矽面積達10,000平方毫米）。這一突破相當於在信用卡4.5倍面積的封裝基板上實現晶片陣列化布局。

  二、低熱梯度鍵合技術：解決大尺寸晶片封裝的熱膨脹挑戰

  針對超大規模封裝面臨的材料膨脹差異問題，英特爾開發了新型熱壓鍵合工藝。通過優化微米級焊料凸塊間距至25微米級別，成功將矽片與有機基板的連接密度提升40%。該技術使封裝面積擴展至21,000平方毫米的同時，有效控制溫度梯度差異。實驗數據顯示，在-50℃至200℃工作區間內，晶片與基板的熱膨脹係數匹配誤差降低至0.3ppm/°C以內，為超大尺寸AI處理器提供了可靠的集成基礎。

  三、模塊化散熱系統設計：應對超大規模晶片組的熱量難題

  面對封裝面積擴大帶來的散熱挑戰，英特爾採用分體式金屬散熱架構。通過將整體散熱器分割為多個預校準組件，配合主動支撐結構實現毫米級平整度控制。該方案使21,000平方毫米級別的封裝系統熱阻降低35%，確保核心溫度波動不超過8℃。模塊化設計還支持快速維護與升級，在提升可靠性的同時維持量產良率在98%以上。

  總結來看，英特爾三項技術創新共同構建了面向AI時代的先進封裝體系：通過EMIB-T突破晶片互聯密度限制，憑藉低熱梯度鍵合技術實現超大基板集成，依託模塊化散熱系統解決熱管理難題。這些技術預計將在2026-2027年逐步進入商業化階段，為數據中心級晶片發展提供關鍵支撐，推動全球晶片產業在後摩爾時代持續突破算力邊界。其解決方案不僅滿足當前AI模型對計算密度的需求，更為未來量子計算、光子集成等新興領域奠定技術基礎。