中國報告大廳網訊，2025年5月31日

  半導體行業的持續突破正推動晶片設計向更複雜的異構集成方向發展。作為全球領先的晶片製造商，英特爾近期在電子元件技術大會上展示了多項封裝技術的前沿進展，包括EMIB-T供電增強方案、創新散熱架構及熱鍵合工藝優化。這些技術創新不僅為HBM4/4e內存等尖端組件的整合提供了底層支撐，更將單一封裝內的計算與互聯能力推向新高度，成為未來高性能計算系統發展的關鍵推動力。

  一、EMIB-T突破供電瓶頸：實現超大規模封裝集成

  英特爾新一代嵌入式多晶片互連橋接技術（EMIB）通過引入矽通孔（TSV）架構升級為EMIB-T方案。這一改進解決了傳統懸臂式供電路徑的高電壓降問題，通過底部垂直供電通道將供電電阻降低50%以上，有效支持120x180毫米超大封裝尺寸內的穩定電力分配。在通信層面，EMIB-T單橋接器即可承載32 Gb/s速率的UCIe-A協議數據傳輸，併兼容玻璃基板與有機基板兩種載體，為HBM4/4e內存集成提供低延遲互聯通道。

  目前該技術已實現45微米凸塊間距量產，研發管線中更推進至35微米（量產在即）和25微米（原型階段）。實驗數據顯示，在12英寸晶圓級封裝測試中，EMIB-T較前代技術將信號完整性提升30%，同時支持單封裝內超過38個晶片橋接與12顆矩形裸片的混合集成。

  二、分解式散熱架構：破解千瓦級功耗散熱難題

  針對AI算力需求推動的高密度封裝熱管理挑戰，英特爾開發了創新的散熱器分離技術。通過將散熱組件拆解為平板-加強筋複合結構，並優化熱界面材料（TIM）的耦合工藝，成功將焊料空隙率降低25%。該架構可配合集成微通道的液冷頂蓋，在1000瓦持續功耗場景下實現核心溫度穩定控制。實測表明，改進後的散熱系統使封裝級熱阻下降18%，為超大規模GPU陣列和AI加速器提供了可靠冷卻方案。

  三、熱鍵合工藝升級：提升異構集成良率與可靠性

  針對大尺寸封裝的翹曲問題，英特爾開發了動態溫度補償型熱壓粘合技術。通過實時監控晶片-基板界面溫差並施加局部壓力補償，在12英寸晶圓級封裝中將對準精度控制在±5微米以內。這項突破使異構集成良率提升至92%（傳統工藝約85%），同時支持更精細的EMIB-T間距設計，為未來20微米級互連方案奠定基礎。

  四、封裝技術生態賦能代工戰略

  這些技術創新不僅強化了英特爾內部產品競爭力，更為其代工業務構建差異化優勢。通過開放式的先進封裝平台，客戶可靈活組合不同供應商的計算單元與內存晶片，加速異構系統集成進程。當前已有雲計算巨頭和國家級科研項目採用該技術，在2025年規劃中，基於EMIB-T的HBM4e混合封裝方案將成為高性能計算市場的主流選擇。

  總結

  從供電架構革新到散熱系統的顛覆性設計，再到工藝良率的突破性提升，英特爾此次披露的技術矩陣重新定義了先進封裝的可能性邊界。這些成果不僅支撐著未來5-7年晶片性能的增長曲線，更為行業提供了兼容不同製程節點、跨越供應商壁壘的集成解決方案。隨著2025下半年首批EMIB-T量產產品的落地，半導體產業正迎來異構計算的新時代拐點。