中國報告大廳網訊，【綜述】隨著人工智慧和大型語言模型對算力需求的爆發式增長，傳統電子互連方案在帶寬與能耗上的局限性日益凸顯。共封裝光學（CPO）技術通過將光子集成電路直接集成到計算晶片封裝中，實現了每秒太比特級的數據傳輸速率，並將功耗降至5 pJ/bit以下，成為數據中心突破能效瓶頸的關鍵路徑。然而，在光纖-晶片對準精度、熱管理及可靠性驗證等方面仍面臨複雜挑戰，推動著半導體製造工藝與封裝技術的持續創新。

  一、共封裝光學技術的核心優勢與挑戰並存

  中國報告大廳發布的《2025-2030年中國封裝產業運行態勢及投資規劃深度研究報告》指出，CPO通過將光子集成電路（PIC）與GPU/ASIC等計算單元集成在同一封裝內，顯著縮短了光電轉換路徑。相較於傳統可插拔光模塊，這種設計使電信號傳輸距離從厘米級壓縮至百微米量級，帶寬密度提升至1 Tbps/mm，同時功耗降低60%以上（從約15 pJ/bit降至5 pJ/bit）。在數據中心場景中，CPO支持更密集的機架部署，每光纖埠帶寬通過密集波分復用（DWDM）技術可擴展數倍。然而，這一革新方案對製造精度提出了嚴苛要求：光子晶片與光纖陣列需實現亞微米級對準公差，熱波動控制精度需優於±1°C以維持波長穩定性。

  二、光學集成中的精密對準難題突破路徑

  在光纖-矽光子集成電路（PIC）接口處，8μm直徑的單模光纖與500nm量級的晶片波導端面必須精確耦合。行業已採用V型槽無源對準技術實現低損耗連接，但陣列化封裝帶來了新的挑戰：128通道光纖陣列需在三維空間內同步完成±50nm橫向公差控制。主動對準系統通過六自由度精密平台與光反饋機制，在毫秒級時間內完成多通道耦合優化。當前解決方案正從單光纖向陣列擴展，未來隨著數據速率提升至Pb/s級別，微透鏡陣列與集成光學濾波器的引入將進一步簡化對準流程。

  三、熱管理成為系統可靠性核心指標

  封裝內的光子器件對溫度變化極為敏感，1°C溫差即可導致0.1nm波長偏移。CPO設計需綜合運用熱界面材料優化、局部加熱器補償及冗餘架構：通過矽中介層實現晶片級散熱均熱；調製器內置的微加熱器可實時校正波長漂移；雷射發射單元採用雙備份方案，單通道失效時自動切換冗餘路徑。測試數據顯示，在105°C高溫環境下，集成式PIC仍能保持低於-2dB的附加損耗，其可靠性已通過JEDEC標準認證。隨著DWDM架構普及，未來系統需將溫度控制精度提升至±0.5°C以內。

  四、製造良率與測試策略定義量產門檻

  CPO封裝的複雜性要求從晶圓到系統的全流程質量管控：光子晶片在12英寸矽基板上實現毫米級特徵製備；光纖陣列通過自動化探針台完成批量對準驗證；最終模塊需進行7×24小時加速老化測試以篩選雷射器失效風險。當前行業良率約達85%，主要缺陷集中在光纖-波導耦合界面（占15%不良率）及III-V族雷射器壽命問題。為提升可維護性，部分設計採用可插拔光引擎架構，在保持性能的同時實現關鍵組件的現場更換。

  【總結】共封裝光學技術正重塑數據中心基礎設施的技術範式，其每秒太比特級傳輸能力與能效優勢已通過商業化驗證。然而，亞微米級對準精度、跨尺度熱管理及高可靠製造仍是規模化落地的關鍵挑戰。隨著光子集成工藝成熟度提升和封裝材料創新突破，預計到2027年CPO將占據高性能計算互連市場50%份額，推動全球數據中心能耗強度下降40%，為AI時代的算力需求提供可持續的基礎設施支撐。